整流二極管英文全稱rectifier diode，一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中，是一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。整流二極管具有明顯的單向導電性,可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下,主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。

　　選用：選用整流二極管時，主要應考慮其整流電流、反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數。普通串聯穩壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復時間要求不高，只要根據電路的要求選擇整流電流和反向工作電流符合要求即可。開關穩壓電源的整流電路及脈沖整流電路中使用，應選用工作頻率較高、反向恢復時間較短的整流二極管或選擇快恢復二極管。

　　主要參數：

　?。?）平均整流電流IF：指長期工作時允許通過的正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000二極管的IF為1A。

　?。?）較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V

　?。?）反向電流IR：較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明質量越好。

　?。?）擊穿電壓VR：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

　?。?）較高工作頻率fm：正常情況下的較高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。

　?。?）反向恢復時間tre：指在規定的負載、正向電流及反向瞬態電壓下的反向恢復時間。

　?。?）零偏壓電容CO：指兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA。